制作方法：
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氮化鎵（GaN）是第三代半導體材料中的代表，因其高耐壓、高飽和速率等優點，在微波射頻和功率電子領域逐漸替代傳統的硅基器件，發揮重要作用。埃特曼采用國際**的 Hybrid-MBE 技術，為國內外客戶提供高質量、低成本的 GaN 外延片。
射頻類：
GaN-on-SiC HEMT
GaN-on-Si HEMT
S/D n+ GaN 二次外延
功率類：
GaN-on-Si HEMT
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