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SOI硅片
可提供各種規(guī)格高質(zhì)量SOI硅片,及SOI硅片加工定制服務(wù)。
SOI wafer尺寸:2”,4”,6”,8”;其他尺寸可定制;
底層厚度:200um-1000um;埋氧層厚度:50nm-10um;頂層厚度:50nm-100um;
導(dǎo)電類型:N-Type、P-Type、非摻高阻;
為滿足更多客戶要求,我們也提供超薄頂層和超薄絕緣層;
常規(guī)頂層厚度:70nm、145nm、220nm、340nm等;
常規(guī)絕緣層厚度:145nm、500nm等;
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