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| 產品介紹及用途： | 放置19片2吋襯底，用于生長深紫外LED的外延片 |
| 產品所處設備位置： | 反應腔內，直接接觸晶圓 |
公司通過工藝改進提升、新產品研發等手段挖掘市場需求，堅持開發一代、儲備一代、銷售一代的發展戰略，積極開展外延、刻蝕、氧化擴散和晶體生長等半導體設備用實體碳化硅零部件、燒結碳化硅零部件和碳化鉭涂層石墨零部件等新產品研發，并陸續進入試制、驗證階段。公司致力于成為全球半導體設備零部件、材料領域的一流企業，持續推動半導體關鍵碳化硅零部件的技術進步。
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