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氧化鎵是一種無機化合物白色粉體，化學式為Ga2O3。是一種寬禁帶半導體材料，Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性長期以來一直引起人們的關注，在光電子器件方面有著廣闊的應用前景 ，被用于Ga基半導體材料的絕緣層、紫外線濾光片和氧化鎵晶體生長材料。
分子式 Molecular Formula | 規格 | 純度 Purity | D50 | 晶型 Crystal Form | 包裝規格 Packing Specification |
β-Ga2O3 | CGC-P | 99.9995% | 3-5um | 單斜晶型 monoclinic system | 1Kg/5Kg/10Kg 紙箱/桶裝 carton/ barrel |
GC-S | 99.999% | 1-3um | |||
GC | 99.999% | 3-5um | |||
DC | 99.995% | 4-10um |
產品特點：
產品純度高，雜質含量低；粒度小且分布窄，晶型單一均勻；同時可根據客戶需要訂制不同粒度要求。
應用領域：
鎵金屬制品：用于制半絕緣GaAs，供IC作襯底；LED發光材料及NB-Fe-B磁性材料。
光電晶體：用作磁光晶體、激光晶體的添加劑材料，能很好的提高產品光電性能。
半導體材料：是一種禁帶寬度在4.7－4.9eV的寬禁帶半導體氧化物，具有良好的熱穩定性和化學穩定性，在大功率高電壓和高電流密度的設備上具有良好的應用前景。
高純分析試劑：用作高純元素化學試劑分析、檢測領域。
醫藥領域：可制作為鎵硝酸鹽，用于抗腫瘤治療癌癥藥物。
其他：氧化鎵還具有導電和發光特性，在高溫氣體傳感器和透明導電光電器件上應用廣泛。
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