2025年11月12日，“2025年度中國第三代半導體技術十大進展”的入選結果在第十一屆國際第三代半導體&第二十二屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2025）的開幕式上揭曉。這個會議由國內外院士領銜，來自全球15個國家和地區，產業鏈各個環節超千人代表出席。
“全系列12英寸碳化硅襯底”、“萬伏級SiC MOSFET器件的研制及其產業化技術”、“基于氮化鎵Micro-LED的高速、低功耗光通信芯片技術”、“8英寸氧化鎵單晶及襯底制備實現重大突破”、“低位錯密度12英寸碳化硅單晶生長及激光剝離技術”等10項成功成功入選“2025年度中國第三代半導體技術十大進展”。這些成果，前沿創新與產業并舉，既有知名科研院所高校機構，也有行業頭部企業，受到了與會代表的廣泛關注和熱烈討論。
值得一提的是在入選的“十大進展”中，有兩個突破性的進展來自馬爾文帕納科用戶，分別是山東天岳先進科技股份有限公司（Omega/Theta單晶定向儀和Mastersizer3000激光粒度儀用戶）和杭州鎵仁半導體有限公司（X'Pert3 MRD高分辨衍射儀用戶）。他們代表了第三代半導體的頭部企業取得了令人矚目的重大成果。馬爾文帕納科先進的分析儀器及專業經驗在用戶的材料研發、提升生產效率、提高產品質量和可靠性、推動工藝創新等方面，持續提供了可靠的分析檢測技術。
全系列12英寸碳化硅襯底全球首發
山東天岳先進科技股份有限公司發布全球首款12英寸碳化硅襯底，標志著中國在半導體關鍵基礎材料領域實現了歷史性的重大突破，彰顯了中國新一代半導體材料技術的國際領先地位。
8英寸氧化鎵單晶及襯底制備實現重大突破
鎵仁半導體成為國際首家掌握8英寸氧化鎵單晶及襯底制備技術的企業，僅用三年完成從2英寸到8英寸的跨越式發展，創造尺寸快速迭代的行業紀錄。該成果填補國際大尺寸氧化鎵單晶及襯底領域空白，助力我國超寬禁帶半導體從“跟跑”到“領跑”，為新能源汽車快充、智能電網等領域提供關鍵材料支撐。
我們衷心祝賀兩家用戶在第三代半導體領域取得的重大進展，以及因此而獲得各項榮譽。馬爾文帕納科將一如既往地為半導體行業用戶提供先進的分析儀器和專業技術支持，為中國半導體行業加速引擎輸入源源不斷的動力。
半導體行業解決方案
Omega/Theta單晶定向儀
10秒內完成晶錠/晶圓的晶體定向，精度達到0.003°
高分辨XRD
外延薄膜，多晶薄膜和非晶薄膜分析；
晶圓分析儀
元素濃度檢測，薄膜均勻性
激光粒度儀
光刻膠主成分樹脂粒度分布；磨料主成分粒度分布；控制封裝用環氧樹脂或陶瓷填料的粒度分布
靜態粒度粒形分析儀
圖像法測定金剛石磨料的粒度粒形信息并提供統計性結果
納米顆粒跟蹤分析儀
快速篩查光刻膠中亞微米級污染物；清洗液中的顆粒物數量分析
納米粒度及電位儀
測定磨料主成分的粒度分布；測量漿料Zeta電位，防止團聚
>>> 關于馬爾文帕納科
馬爾文帕納科（Malvern Panalytical）是全球材料表征領域的專家。隨著Micromeritics和SciAps兩個技術高度互補的新成員加入，進一步完善了馬爾文帕納科的材料表征解決方案。
馬爾文帕納科的使命是通過對材料進行化學、物性和結構分析，打造出更勝一籌的客戶導向型創新解決方案和服務，從而提高效率和產生可觀的經濟效益。通過利用包括人工智能和預測分析在內的最新技術發展，我們能夠逐步實現這一目標。這將讓各個行業和組織的科學家和工程師可解決一系列難題，如更大程度地提高生產率、開發更高質量的產品，并縮短產品上市時間。
