中國粉體網訊天成半導體攻克12英寸碳化硅材料難題來源:天成半導體近期,山西天成半導體材料有限公司繼今年成功研制12英寸導電型碳化硅單晶材料后,依托自主研發設備再度攻克12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料技術難關,實現大尺寸碳化硅[更多]
用微信掃碼二維碼分享至好友和朋友圈