中國粉體網訊 在高性能計算、大功率通信器件及3D封裝持續演進的背景下,熱管理已成為限制芯片進一步提速的核心技術瓶頸。尤其是碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導體在高頻、大功率條件下所帶來的高熱流密度,使得傳統硅基散[更多]
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