中國(guó)粉體網(wǎng)訊 在高性能計(jì)算、大功率通信器件及3D封裝持續(xù)演進(jìn)的背景下,熱管理已成為限制芯片進(jìn)一步提速的核心技術(shù)瓶頸。尤其是碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體在高頻、大功率條件下所帶來(lái)的高熱流密度,使得傳統(tǒng)硅基散[更多]
用微信掃碼二維碼分享至好友和朋友圈