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高純度碳化硅粉末裝入等靜壓石墨坩堝，頂部放置籽晶，在2000°C以上高溫，加熱升華。固態(tài)碳化硅粉末(SiC)升華成Si、Si?C、SiC?等氣相物質(zhì)，在惰性氣體環(huán)境下與籽晶相遇。在籽晶表面結(jié)晶生長(zhǎng)出單晶。*后通過晶體生長(zhǎng)爐利用溫度梯度，控制晶體生長(zhǎng)的熱量傳遞。緩慢降溫，得到圓柱形碳化硅晶錠。
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