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特斯拉大砍SiC，GaN替補上位？
中國粉體網訊 碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，一度被視為新能源汽車領域的理想材料。特斯拉，曾打響SiC上車的第一槍。2011年，科銳（現Wolfspeed）公司推出全球首款SiC MOSFET。5年后，特斯拉發布第四款車型Model 3，該車型的主逆變器安裝了24個意法半導體（ST）公司生產的SiC MOSFET功率模塊。搭載24個SiC MOSFET功率模塊的Model 3主逆變器（來源：NE時代）此后，SiC不僅成為半導體廠商激烈涌進的熱門賽道，也在全球新能源車市場加速上車。不過轉過頭來，特斯拉在今年的投資者日活動上表示，為進一步降低車輛成本，計劃在下一代電動汽車動力系統..【詳細】
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